ПРАКТИЧЕСКИЕ СХЕМЫ ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННОГО ЗВУКОВОСПРОИЗВЕДЕНИЯ


Принципиальная схема регулятора тембра на ОУ 153УД2


Регулятор смонтирован на унифицированной монтажной плате методом объ­емного монтажа. Резисторы R3, R5 могут быть любого типа с линейной зависимостью (типа А), остальные — МЛТ-0,25, конденсаторы — КМб. Кроме микро­схемы К153УД2 можно использовать К153УД1, К140УД7, К140УД8 и другие Q соответствующими цепями коррекции.

Для питания темброблока можно использовать любой стабилизированный Двухполярный источник напряжения ±15 В, обеспечивающий ток в нагрузке не менее 20 мА. Перед настройкой проверяют правильность монтажа схемы. Затем подбором конденсаторов С5 и С6 устраняют возможное самовозбуждение узла при крайних положениях регуляторов тембра.

Регулятор тембра с использованием переключателя типа П2К. Как уже от­мечалось, усилитель, построенный на дискретных компонентах, использующих схемотехнику ОУ, можно с успехом использовать для построения различных уз-лов звукового усилителя. В качестве примера здесь показано применение усили­тельного модуля в регуляторе тембра.

Регулятор тембра, рис. 48, имеет следующие основные технические характе­ристики:

Номинальное входное напряжение......... 0,8 В

Коэффициент передачи на частоте 1 кГц....... 1

Пределы регулирования тембра на частоте, Гц:

100................. ±12 дБ

10000................ ±12 дБ

Перегрузочная способность (относительно уровня 12 дБ), не менее 10 дБ

Коэффициент гармоник в диапазоне частот 20...20 000 Гц, не более 0,05%

Отношение сигнал-шум (невзвешенное), не менее .... 70 дБ

Входное сопротивление ............ 47 кОм

Выходное сопротивление........... 1 кОм

Напряжение питания........... . ±15 В

Ток потребления.............. 20 мА

Схема модуля А1 (рис. 49,а) аналогична использованной в корректоре (рис. 27). Транзисторы VT1 и VT4 образуют дифференциальную пару, в эмиттерную цепь которых включен стабилизатор тока на транзисторе VT3. Такое построение позволяет получить хорошую изоляцию входного каскада от источника питания и эксплуатировать транзисторы VT1 и VT4 в их оптимальной малошумящей области.


Начало  Назад  Вперед



Книжный магазин